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Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, pode-se afirmar que a dopagem do emissor, da base e do coleto...

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457941200279880
Ano: 2014Banca: FUNCABOrganização: SSP-SEDisciplina: Engenharia Elétrica e Sistemas de PotênciaTemas: Eletromagnetismo Aplicado

Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, pode-se afirmar que a dopagem do emissor, da base e do coletor é, respectivamente:

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