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  4. Questão 457941200377268

Leia o texto a seguir e escolha a alternativa que preenche correta ...

📅 2013🏢 IBFC🎯 EBSERH📚 Engenharia Eletrônica e Sistemas Digitais
#Eletrônica de Potência#Transistores de Potência

Esta questão foi aplicada no ano de 2013 pela banca IBFC no concurso para EBSERH. A questão aborda conhecimentos da disciplina de Engenharia Eletrônica e Sistemas Digitais, especificamente sobre Eletrônica de Potência, Transistores de Potência.

Esta é uma questão de múltipla escolha com 4 alternativas. Teste seus conhecimentos e selecione a resposta correta.

1

457941200377268
Ano: 2013Banca: IBFCOrganização: EBSERHDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência

Leia o texto a seguir e escolha a alternativa que preenche correta e respectivamente as lacunas.

Os dispositivos _____________ são controlados por tensão e têm uma impedância de entrada muito _________. O gate drena uma corrente de fuga muito ____________. A transcondutância, que é a relação da corrente de dreno para a tensão da porta, define as características de transferência sendo um parâmetro muito importante destes dispositivos.

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