A condutividade em semicondutores é controlada por
impurezas e condições externas, influenciando o
desempenho de dispositivos eletrônicos. Avaliando um
diodo de silício com dopagem tipo N em uma fonte de
alimentação, a análise técnica concentra-se na
mobilidade dos portadores de carga no material
semicondutor. Acerca da mobilidade dos portadores,
marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as
falsas.
(__)A mobilidade dos elétrons em semicondutores tipo N
é maior que a dos buracos, favorecendo a condução por elétrons.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores é
diretamente proporcional à temperatura, aumentando
indefinidamente com o aquecimento.
(__)A mobilidade dos portadores em semicondutores tipo
P depende exclusivamente da dopagem, sem relação
com a estrutura cristalina.
(__)A mobilidade dos portadores é influenciada pela
dopagem, diminuindo em altos níveis devido a colisões
com impurezas.
Após análise, assinale a alternativa que apresenta a
sequência correta dos itens acima, de cima para baixo: