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Esta questão foi aplicada no ano de 2017 pela banca FUNCERN no concurso para IF-RN. A questão aborda conhecimentos da disciplina de Engenharia Elétrica e Sistemas de Potência, especificamente sobre Eletromagnetismo Aplicado.
Esta é uma questão de múltipla escolha com 4 alternativas. Teste seus conhecimentos e selecione a resposta correta.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é