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Esta questão foi aplicada no ano de 2017 pela banca FUNCERN no concurso para IF-RN. A questão aborda conhecimentos da disciplina de Engenharia Elétrica e Sistemas de Potência, especificamente sobre Eletromagnetismo Aplicado, Propriedades dos Materiais Elétricos.
Esta é uma questão de múltipla escolha com 4 alternativas. Teste seus conhecimentos e selecione a resposta correta.
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,