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Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do semicondutor uma quantidade de átomos contendo excesso ...

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457941200905611
Ano: 2014Banca: CETROOrganização: FUNDAÇÃO CASADisciplina: Engenharia Elétrica e Sistemas de PotênciaTemas: Eletromagnetismo Aplicado

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do semicondutor uma quantidade de átomos contendo excesso de um elétron de valência relativamente ao número de elétrons da camada mais externa de cada átomo de cristal, é correto afirmar que se forma um

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