O Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor
(MOSFET) tipo enriquecimento de canal n é um transistor
de quatro terminais, sendo eles: porta (G), dreno (D), fonte
(S) e corpo (B). Na maioria das aplicações, o terminal do
corpo (B) é interconectado ao terminal da fonte (S),
reduzindo o número de terminais para três. Nessa
configuração, as tensões de Corrente Contínua (DC) dos
terminais de porta (VG), dreno (VD) e fonte (VS) determinam
o ponto de polarização do dispositivo. Além disso, a análise
do ponto de operação leva em consideração a tensão de
limiar (Vt). A diferença de potencial entre dois terminais,
como por exemplo entre os terminais D e S, utiliza a notação
VDS. Para operação como amplificador de sinais, o MOSFET
é colocado na região de operação conhecida como
saturação. Nessa região de operação