Questões

Um diagrama de Nyquist mostra, no plano complexo, as informações de ganho e fase de uma função de transferência em função da frequência. Nesse contexto, e sabendo ainda que determinado circuito com um amplificador operacional realimentado positivamente comporta-se como um oscilador, o critério de Barkhausen para a oscilação será satisfeito se o módulo do ganho de malha direta for

Julgue o item, referentes à conversão analógico/digital (A/D) e à conversão digital/analógico (D/A). 

Conversores A/D ou D/A de 10 bits apresentam 1.000 níveis de quantização. 

Duas cargas pontuais positivas  Q₁ e Q₂ estão afastadas uma da outra a uma distância d. Aplicando a lei de Coulomb nessas circunstâncias, as cargas Q₁ e Q₂ estão sujeitas a uma força de repulsão F = 40 N. Se a distância entre as cargas for reduzida à metade de d, o que acontece com a força de repulsão entre as cargas Q₁ e Q₂?

Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência, é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou um transistor MOSFET na etapa de amplificação. Considerando o comportamento desses dispositivos em alta frequência, eficiência energética e características de controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta sobre a principal diferença entre os dois tipos de transistores.

Afirmativas:

I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.

II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.

III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.

IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.

V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.

Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?

Nos diodos que compõem os dispositivos eletrônicos, a corrente de fuga