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Ano: 2015Banca: CONSULPLANOrganização: HOBDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Inversores de Potência | Eletrônica de Potência
Embora haja algumas exceções, de uma maneira geral, um motor de indução requer, aproximadamente, seis vezes a
sua corrente nominal para partida a tensão nominal. Em relação à chave soft‐starter utilizada na partida de motores,
é correto afirmar que
Ano: 2013Banca: FGVOrganização: TJ-AMDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência | Componentes de Potência: Diodos e Transistores
Em eletrônica de potência o uso de tiristores tem sido
intensificado.
A respeito do TRIAC, SCR E DIAC, analise as afirmativas a seguir.
I. No TRIAC, o fluxo de corrente entre dois terminais é
controlado por um terceiro, permitindo a condução de
corrente em qualquer sentido.
II. No SCR, o fluxo de corrente entre dois terminais é controlado
por um terceiro, permitindo a condução de corrente em um
único sentido.
III. No DIAC, a condução se dá em um único sentido, quando
aplicado em seus terminais uma tensão acima de um valor
estabelecido.
Assinale:
Ano: 2010Banca: FUNDATECOrganização: CEEERSDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência
Além de liberar potência nos transformadores e linhas, o aumento do fator de potência com a instalação de banco de capacitores nas subestações e redes de distribuição tem por objetivo:
Ano: 2018Banca: QuadrixOrganização: SEDFDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência | Componentes de Potência: Diodos e Transistores
Com relação à eletrônica de potência, julgue o item a seguir.
É função do chopper DC a conversão de tensão DC fixa
para variável, podendo ser aplicado no controle de
velocidade de motores DC.
Ano: 2025Banca: CEFET-MGOrganização: CEFET-MGDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência | Técnicas de Modulação em Eletrônica de Potência
Um equipamento alimentado pela rede elétrica apresenta os seguintes dados nominais de placa:
125Vrms, 60Hz, 6,0Arms, 600W. Sobre a potência elétrica absorvida da rede por esse equipamento,
é correto afirmar que
Ano: 2018Banca: FCCOrganização: EMAE-SPDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência | Componentes de Potência: Diodos e Transistores
Os sensores eletrônicos que detectam proximidade de elementos metálicos sem a necessidade de contato são do tipo
Ano: 2014Banca: COSEACOrganização: UFFDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência | Componentes de Potência: Diodos e Transistores
A tensão Vz dos Zener pode ser alterada para maior, devido:
Ano: 2024Banca: FGVOrganização: INPEDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência
O PWM é uma modulação amplamente utilizada em diversas
aplicações, como controle de velocidade de motores e
servomotores, controle de carga de baterias em sistema solares,
entre outras.
Sobre o PWM, assinale a afirmativa correta.
Ano: 2025Banca: COMVEST - UNICAMPOrganização: UNICAMPDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Eletrônica de Potência
Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência,
é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou
um transistor MOSFET na etapa de amplificação.
Considerando o comportamento desses dispositivos em
alta frequência, eficiência energética e características de
controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a
alternativa correta sobre a principal diferença entre os
dois tipos de transistores.
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base,
enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão
no gate, o que influencia diretamente o consumo de
potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de
potência em chaveamento de alta frequência em
comparação ao BJT, pois possui menor carga
armazenada e não sofre efeito de tempo de
armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do
que o BJT, independentemente do regime de operação e
da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão
do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da
junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de
porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do
que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as
afirmativas corretas?
Ano: 2024Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: CAGEPA - PBDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Eletrônica de Potência
Considerando circuitos elétricos operando em regime permanente
senoidal, assinale a opção correta acerca das relações dos
diferentes tipos de potência em seus componentes.
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