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No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.
Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.
Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente.
O equipamento B deve ser construído com transistores de
efeito de campo do tipo MOSFET.
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir.
I. São dispositivos controlados por tensão.
II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p.
III. Obedecem a equação de Shockley, sendo do tipo intensificação.
Está correto o que se apresenta em
Acerca do funcionamento dos transistores bipolares, analise as proposições a seguir.
1) Os dois modos básicos para operar um transistor são a polarização de base (circuitos de chaveamento) e a polarização de emissor (circuitos amplificadores).
2) O ganho de corrente de um transistor é definido como a razão da corrente do emissor pela corrente de base (IE/IB).
3) Se num circuito com um transistor o resistor de base for curto-circuitado, o transistor será danificado.
Está(ão) correta(s):