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457941201726414
Ano: 2018Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: ABINDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

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2

457941200701376
Ano: 2014Banca: FCCOrganização: SABESPDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
Cristal de silício dopado com átomos pentavalentes corresponde a
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3

457941201357645
Ano: 2016Banca: IF-TOOrganização: IF-TODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
No que diz respeito aos transistores de junção bipolar (BJT), assinale a alternativa correta.
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4

457941201459044
Ano: 2017Banca: UFMTOrganização: UFSBADisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Amplificadores | Transistores | Diodos | Eletrônica Analógica
Sobre eletrônica analógica, assinale a afirmativa INCORRETA.
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5

457941200519826
Ano: 2019Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: SLU-DFDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

Acerca das aplicações possíveis dos dispositivos eletrônicos, julgue o item seguinte.


Em isoladores ópticos, pode-se utilizar a associação de dois transistores bipolares de junção para aumentar o ganho de corrente total do isolador.

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6

457941201203157
Ano: 2010Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: INMETRODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica Analógica | Transistores
No que concerne às tecnologias de fabricação de circuitos integrados digitais, assinale a opção correta.

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7

457941200444969
Ano: 2023Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: POLC-ALDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica Analógica | Transistores

    Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.


Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 


O equipamento B deve ser construído com transistores de efeito de campo do tipo MOSFET.

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8

457941200504194
Ano: 2018Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: ABINDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.


No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

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9

457941202036811
Ano: 2014Banca: BIO-RIOOrganização: NUCLEPDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
Um transistor possui uma corrente de emissor de 12,096 mA e corrente de coletor 12 mA. O parâmetro β desse transistor vale:
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10

457941200469215
Ano: 2017Banca: IF-TOOrganização: IF-TODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.


I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.


Com relação às afirmativas é correto afirmar.

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