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457941201595133
Ano: 2018Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: ABINDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.


Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.

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2

457941200469215
Ano: 2017Banca: IF-TOOrganização: IF-TODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

Com relação à polarização CC de TBJ (transistor bipolar de junção), faça uma comparação acerca da estabilidade (menor variação de ICQ e VCEQ), dos modelos de polarização fixa, polarização do emissor e polarização por divisor de tensão e observe as asserções abaixo.


I. A polarização fixa apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

II. A polarização por divisor de tensão apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização fixa. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.

III. A polarização do emissor apresenta melhor estabilidade quando comparada com a polarização por divisor de tensão. Isto é, neste modelo as correntes e tensões CC não permanecem próximas aos valores estabelecidos pelo circuito quando modificações nas condições externas, como temperatura e β, ocorrem.


Com relação às afirmativas é correto afirmar.

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3

457941200387632
Ano: 2010Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: INMETRODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
Com relação a transistores de efeito de campo do tipo MOS, assinale a opção correta.

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4

457941200355250
Ano: 2018Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: ABINDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica

Com relação ao comportamento de campos elétricos e magnéticos na matéria e às propriedades térmicas da matéria, julgue o item que se segue.


Em um capacitor de placas paralelas separadas por vácuo, a capacitância, que é igual a diferença de potencial entre as duas placas dividida pela carga armazenada no capacitor, diminuirá se o vácuo for substituído por uma substância cerâmica, pois a constante dielétrica do vácuo é a maior possível.

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5

457941201037751
Ano: 2015Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: TelebrasDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica Analógica | Transistores
O ganho de corrente na configuração emissor comum de um transistor bipolar polarizado na região direta indica que uma pequena variação da corrente no emissor provocará grande variação na corrente do coletor.
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6

457941201617297
Ano: 2013Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: TRT - 17ª Região (ES)Disciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores | Dispositivos Tiristores | Eletrônica Analógica

Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.

O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao SCR pode ser representado pela associação de um transistor PNP com um NPN.


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7

457941201632228
Ano: 2010Banca: FCCOrganização: TRT - 8ª Região (PA e AP)Disciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
São circuitos integrados lineares comerciais usados na função de regulador de tensão:
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8

457941200797814
Ano: 2010Banca: FCCOrganização: METRÔ-SPDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
O parâmetro híbrido do transistor que se refere ao ganho de corrente na configuração emissor comum é
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9

457941201625095
Ano: 2024Banca: IBFCOrganização: CorreiosDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores | Eletrônica Analógica
Vamos considerar um MOSFET em configuração de dreno comum (seguidor de fonte) em que a resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS, assinale a alternativa que apresenta o ganho de tensão desta configuração.
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10

457941200263502
Ano: 2010Banca: FCCOrganização: TRE-RSDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica Analógica | Transistores
É um dispositivo optoeletrônico:
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