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O comprimento de onda de fótons emitidos por LEDs (diodos emissores de luz) pode ser modelado pela diferença de energia entre os níveis de energia da banda de condução e da banda de valência dos materiais empregados na camada ativa desses dispositivos, popularmente denominado como gap ou lacuna (Eg). Para fins de modelagem podemos, então, utilizar a equação de Einstein para energia do fóton associado à transição entre as bandas de valência e condução para relacionar a energia do fóton, sua frequência e seu comprimento de onda: E = hf = (hc)/λ onde h = 4,136 x 10⁻¹⁵ eV.s é a constante de Planck e c = 2,998 x 10⁸ m/s é a velocidade da luz em valores com quatro algarismos significativos.
A tabela abaixo apresenta a composição química de alguns dos materiais semicondutores usualmente empregados em LEDs comerciais que permitem a geração das mais variadas cores associadas aos fótons emitidos pelos dispositivos em que são empregados.
| Cor | Material | Comprimento de onda |
|---|---|---|
| Super vermelho | GaAlAs | 660 nm |
| Vermelho | GaAsP | 635 nm |
| Vermelho | AlInGaP | 636 nm |
| Vermelho | GaP | 700 nm |
| Verde | GaP | 565 nm |
| Verde | GaP | 555 nm |
| Verde | AlInGaP | 574 nm |
| Branco | InGaN | Todo espectro |
| Azul | SiC | 430 nm |
| Azul | InGaN | 470 nm |
| Azul | SiC | 430 nm |
| Laranja | AlInGaP | 610 nm |
| Amarelo | AlInGaP | 590 nm |
| Âmbar | GaAsP | 605 nm |
Assinale a alternativa que apresenta um valor adequado para o gap de energia do LED verde composto por InGaN estimado de acordo com o modelo acima.