Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:ParâmetroSímboloValorCorrente média de coletorIC20 AQueda de tensão em saturaçãoVCE(sat)1,8 VEnergia de comutação na ligaçãoEon0,4 mJEnergia de comutação no desligamentoEoff0,3 mJFrequência de chaveamentofs20 kHzResistência térmica total (junção–ambiente)RθJA0,5 °C/WTemperatura ambienteTa40 °CConsiderando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é

Durante o projeto térmico de um inversor trifás...

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Ano: 2026Banca: FGVOrganização: AMAZULDisciplina: Engenharia ElétricaTemas: Sistemas de Acionamento e Controle Elétrico

Durante o projeto térmico de um inversor trifásico PWM operando a 20 kHz, um engenheiro analisa as perdas em um transistor IGBT responsável pelo chaveamento de uma das fases do circuito.

O dispositivo é especificado pelo fabricante com os seguintes parâmetros sob as condições nominais de operação:

Parâmetro	Símbolo	Valor
Corrente média de coletor	I_C	20 A
Queda de tensão em saturação	V_CE(sat)	1,8 V
Energia de comutação na ligação	E_on	0,4 mJ
Energia de comutação no desligamento	E_off	0,3 mJ
Frequência de chaveamento	f_s	20 kHz
Resistência térmica total (junção–ambiente)	R_θJA	0,5 °C/W
Temperatura ambiente	T_a	40 °C

Considerando que o transistor IGBT atua como chave idealizada e que a operação ocorre em regime estacionário, a temperatura aproximada da junção do dispositivo é

45 °C.

55 °C.

60 °C.

65 °C.

70 °C.

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