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Em relação a influência da temperatura em dispositivos semicondutores podemos afirmar: I- Em transistores de junção bipolar(TJB) o aumento da temperatura acarreta a corrente de fuga pelo aumento dos portadores minoritários.
II- Em transistores TJB o aumento na temperatura reduz o ganho do transistor.
III- Em transistores do tipo MOSFET (Transistor de Efeito de Campo de Óxido de Metal Semicondutor) a redução na temperatura aumenta a corrente reversa no dreno pela mudança na mobilidade dos portadores de carga.
IV- Em transistores do tipo MOSFET o aumento da temperatura reduz a corrente direta máxima do Dreno, pela elevação da resistência entre dreno e fonte.
Está(ão) correta(s) a(s) afirmação(ões):