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Ano: 2017Banca: FCCOrganização: DPE-RSDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
A capacidade de chaveamento de corrente e a velocidade de comutação dos dispositivos semicondutores de potência varia
conforme a sua construção e aplicação. Com relação a frequência de comutação típica de alguns tipos de tiristores, a ordem
crescente da frequência é
Ano: 2016Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: POLÍCIA CIENTÍFICA - PEDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Inversores de Potência | Dispositivos Tiristores
Assinale a opção correta com referência aos conversores CA-CA
e CC-CA.
Ano: 2016Banca: IF-TOOrganização: IF-TODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
No que diz respeito aos tiristores assinale a
alternativa correta.
Ano: 2018Banca: FCMOrganização: IFN-MGDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
Considerando-se os vários tipos de TIRISTORES existentes, associe corretamente os tipos listados abaixo a suas respectivas características.
Tiristor
(1) DIAC
(2) GTO
(3) IGCT
(4) SCR
(5) TRIAC
Características
( ) Condução em um único sentido; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle de disparo pelo Gate;
( ) Condução de corrente nos dois sentidos; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle de disparo pelo Gate;
( ) Condução em um único sentido; elevada capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle de disparo e bloqueio pelo Gate;
( ) Condução de corrente nos dois sentidos; baixa capacidade de bloqueio de tensões diretas e reversas; controle de disparo por tensão direta e reversa.
A sequência correta dessa associação é
Ano: 2017Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: TRE-BADisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
O tiristor do tipo SCR, ou seja, retificador controlado de silício,
Ano: 2018Banca: INSTITUTO AOCPOrganização: TRT - 1ª REGIÃO (RJ)Disciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
Conforme as definições dos circuitos
de disparo de tiristores e circuitos
de controle de potência, assinale a
alternativa correta.
Ano: 2016Banca: FCCOrganização: TRF - 3ª REGIÃODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Dispositivos Tiristores | Eletrônica de Potência
Uma carga resistiva de 5 Ω é acionada por meio de um SCR e uma tensão de 127 V (valor eficaz). Para limitar o degrau de
corrente em 20 A/μs, o valor do indutor a ser adicionado ao circuito é, em μH, aproximadamente,
Ano: 2013Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: SEGESP-ALDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
No que se refere às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue os itens de subsequentes.
Entre os parâmetros típicos que caracterizam um tiristor e que caracterizam condições limites de operação constam a tensão direta de ruptura e a máxima tensão reversa.
Entre os parâmetros típicos que caracterizam um tiristor e que caracterizam condições limites de operação constam a tensão direta de ruptura e a máxima tensão reversa.
Ano: 2013Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: TRT - 17ª Região (ES)Disciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores | Dispositivos Tiristores | Eletrônica Analógica
Em relação às eletrônicas analógica, digital e de potência, julgue o item seguinte.
O SCR (silicon controlled rectifier) é composto pela junção de
duas camadas P e duas N, alternadas entre si, com três
terminais: anodo, catodo e porta. O circuito equivalente ao
SCR pode ser representado pela associação de um transistor
PNP com um NPN.
Ano: 2017Banca: FCCOrganização: TRT - 11ª Região (AM e RR)Disciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Dispositivos Tiristores
Considere as afirmativas abaixo sobre o tiristor SCR.
I. Possui quatro camadas semicondutoras PNPN, sendo o G (gate) instalado em uma das camadas N.
I. Conduz de anodo para catodo e vice-versa.
III. Pode ser levado à condução por meio de um impulso de tensão positiva no terminal gate.
IV. Uma forma, bastante comum para retorná-lo à condição de bloqueio é estabelecer um curto-circuito momentâneo entre o
anodo e o catodo.
Está correto o que se afirma APENAS em