Questões

Na operação de um único amplificador de potência, a corrente de coletor circula durante 180° do sinal de entrada naqueles de classe:

Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ, analise as afirmativas a seguir.

I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.

II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.

III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.

Está correto o que se afirma em 

Sobre os procedimentos de vigilância e mitigação do risco da Encefalopatia Espongiforme Bovina - EEB nos estabelecimentos de abate é CORRETO afirmar que:

A capacitância entre duas placas paralelas de área S separadas por uma distância d com material dielétrico com permissividade Є, pode ser calculada usando a seguinte equação: C = ЄS / d . Se a tensão aplicada a esse capacitor de placas paralelas dobrar de valor, o que acontece com a carga armazenada nessa capacitância?

Em um projeto de amplificador de áudio de alta potência, é necessário decidir entre utilizar um transistor BJT ou um transistor MOSFET na etapa de amplificação. Considerando o comportamento desses dispositivos em alta frequência, eficiência energética e características de controle, analise as afirmativas abaixo e escolha a alternativa correta sobre a principal diferença entre os dois tipos de transistores.

Afirmativas:

I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.

II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.

III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.

IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.

V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.

Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?

Circuitos constituídos de um diodo, um resistor e um capacitor que desloca uma forma de onda para um nível CC diferente, sem alterar a aparência do sinal aplicado, são circuitos:

O amplificador classe D é usado em transmissores devido a sua: