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A cerca dos Transistores de Efeito de Campo com Porta Isolada (MOSFETs), analise as seguintes afirmativas: I O MOSFET tipo enriquecimento (ou intensificação, ou crescimento) canal n (transistor NMOS) é fabricado sobre um substrato tipo p, com regiões n+ para o dreno e a fonte, e as lacunas são os portadores de carga.
II O MOSFET tipo depleção tem um canal implantado e, portanto, pode operar ou no modo enriquecimento ou no modo depleção.
III A tecnologia CMOS utiliza transistores MOS de ambas as polaridades (canal p e canal n).
IV O MOSFET tipo enriquecimento (ou intensificação, ou crescimento) canal p (transistor PMOS) é fabricado sobre um substrato tipo n, com regiões p+ para o dreno e a fonte, e os elétrons são os portadores de carga.
A alternativa que corresponde às afirmativas corretas, é: