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Considere um laser baseado num semicondutor InGaAsP com os seguintes parâmetros do material: ΔnT = 1,25 x 1018 cm–3, α = 600cm–1, τp = 2.5 ns, n = 3.5, e ηi = 0,5 para T = 300 K. Assuma que as dimensões da junção são d = 200 microns, w = 10 microns, e l = 2 microns. A densidade de corrente necessária para transparência é calculada como sendo JT = 1,6 x 106 A/cm2. Determine o limiar de corrente para oscilação laser, assumindo que o coeficiente de atenuação total seja αr = 118cm–1.