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Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10-6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2/(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C-1.
Com base nas informações precedentes, julgue os próximos itens.
A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s.