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Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10-6 Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2/(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C-1.
A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.