Considere que determinada tecnologia de fotodetectores semicondutores de silício, germânio e liga ternária de InGaAs possui as respectivas faixas de detecção nos intervalos de 0,1 \(\mu ext{m} \leq \lambda \leq 1,1 \mu ext{m}\), 0,5 \(\mu ext{m} \leq \lambda \leq 1,8 \mu ext{m}\) e 1,0 \(\mu ext{m} \leq \lambda \leq 1,7 \mu ext{m}\). Nessa situação, o fotodetector de silício é o único que não deve ser selecionado para aplicações na região ultravioleta.