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Uma barra de silício com densidade intrínseca de elétrons de 1,4 x10 16 elétrons/m3 é dopada com átomos de impureza até que a densidade de lacunas seja de 8,5x1021 lacunas /m3. As mobilidades dos elétrons e das lacunas são μn=0,14 m2/(V.s) e μp= 0,05 m2/(V.s). Qual a densidade de elétrons do material extrínseco: