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457941200599961
Ano: 2023Banca: Instituto AccessOrganização: UFJDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Amplificadores Operacionais | Diodos | Transistores Bipolares | Conversores Analógicos
A capacitância entre duas placas paralelas de área S separadas por uma distância d com material dielétrico com permissividade Є, pode ser calculada usando a seguinte equação: C = ЄS / d . Se a tensão aplicada a esse capacitor de placas paralelas dobrar de valor, o que acontece com a carga armazenada nessa capacitância?
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457941200737782
Ano: 2017Banca: NC-UFPROrganização: COPELDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Diodos | Transistores Bipolares
Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas:
( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências.
( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio.
( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor.
( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares.
( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.
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3

457941200553247
Ano: 2018Banca: IV - UFGOrganização: UFGDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Diodos | Circuitos Analógicos
A junção PN, formada por um semicondutor do tipo P e outro de tipo N, apresenta movimentação de portadores de carga (corrente) em diferentes graus de intensidade, quando polarizada diretamente, quando está sob polarização inversa e quando não está polarizada. Nessa junção, a corrente de portadores minoritários é denominada de
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4

457941201364563
Ano: 2023Banca: Instituto AccessOrganização: UFJDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Amplificadores Operacionais | Diodos | Transistores Bipolares
Duas cargas pontuais positivas  Q1 e Q2 estão afastadas uma da outra a uma distância d. Aplicando a lei de Coulomb nessas circunstâncias, as cargas Q1 e Q2 estão sujeitas a uma força de repulsão F = 40 N. Se a distância entre as cargas for reduzida à metade de d, o que acontece com a força de repulsão entre as cargas Q1 e Q2?
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5

457941201722709
Ano: 2024Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: CTIDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Diodos

Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.


Na ausência de um campo elétrico, os portadores de carga se movem da região de maior concentração para a região de menor concentração; esse movimento define uma corrente elétrica denominada corrente de difusão.

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6

457941201798296
Ano: 2013Banca: CESGRANRIOOrganização: LIQUIGÁSDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Diodos
Nos retificadores não controlados, usando-se diodos convencionais, não é possível controlar o ângulo de disparo do dispositivo, pois nesses componentes não existe disponível o terminal gate, que permite essa ação. Consequentemente, o valor médio da tensão de saída tomada na carga depende da tensão secundária do transformador de alimentação, que é fixa e da classe do retificador.

Quando se deseja variar o valor médio da tensão na carga em função do ângulo de disparo do dispositivo, independente da tensão secundária do transformador, usam-se retificadores controlados com um componente especial, que é denominado
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7

457941201521560
Ano: 2024Banca: IV - UFGOrganização: IF-SEDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Diodos
Um capacitor de 200 nF ligado em série com um capacitor de 300 nF resulta em uma capacitância equivalente igual a
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8

457941200974121
Ano: 2018Banca: IBFCOrganização: MGSDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Diodos | Circuitos Analógicos
O capacitor é um dispositivo formado por duas placas paralelas condutoras, separadas por um material isolante, e é caracterizado por um parâmetro denominado de capacitância que é uma medida da sua capacidade de armazenar energia. Leia atentamente as alternativas abaixo e assinale a incorreta.
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9

457941200626325
Ano: 2016Banca: IF-PEOrganização: IF-PEDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Diodos
Sobre os diodos especiais, é CORRETO afirmar:
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10

457941201881161
Ano: 2013Banca: FUNDEPESOrganização: HRTN - MGDisciplina: Eletrônica: Componentes e CircuitosTemas: Circuitos Analógicos | Eletrônica de Potência | Diodos | Componentes de Potência: Diodos e Transistores
São parâmetros importantes na especificação de diodos retificadores, usados em fontes de alimentação, EXCETO
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