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Ano: 2012Banca: FCCOrganização: TRF - 2ª REGIÃODisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência
Sobre o IGBT, é correto afirmar que é um dispositivo
Ano: 2023Banca: FUNDATECOrganização: IF-RSDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência
Um motor de indução trifásico, conectado em Y, com quatro polos, 30 HP, 127 V,
50 Hz, solicita uma corrente de 65 A da rede de alimentação, com um fator de potência de 0,85.
Nessas condições de operação, as perdas do motor são as seguintes:
- • Perdas no cobre do estator = Pcu1 = 1189 W.
- • Perdas no cobre do rotor = Pcu2 = 1376 W.
- • Perdas no núcleo do estator = Pe = 567 W.
- • Perdas rotacionais (atrito, ventilação e perdas no ferro devido à rotação) = Prot = 650 W.
Assinale a alternativa que apresenta a potência transferida através do entreferro.
Ano: 2023Banca: FUNDATECOrganização: IF-RSDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Transistores de Potência | Eletrônica de Potência
Em unidades do SI, a permeabilidade do vácuo é µ0 = 4π x 10−7 henrys por metro. A permeabilidade dos materiais magnéticos lineares pode ser expressa em termos de sua permeabilidade relativa µr, ou seja, seu valor relativo ao do vácuo, ou µ = µrµ0 (Umans, 2014). Qual é a variação aproximada dos valores típicos de μrpara os materiais usados em transformadores e máquinas rotativas?
Ano: 2013Banca: IBFCOrganização: EBSERHDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência
Leia o texto a seguir e escolha a alternativa que preenche correta e respectivamente as lacunas.
Os dispositivos _____________ são controlados por tensão e têm uma impedância de entrada muito _________. O gate drena uma corrente de fuga muito ____________. A transcondutância, que é a relação da corrente de dreno para a tensão da porta, define as características de transferência sendo um parâmetro muito importante destes dispositivos.
Ano: 2022Banca: QuadrixOrganização: SEDFDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência
Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.
No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno
depende exponencialmente da tensão entre porta e
fonte.
Ano: 2010Banca: ZAMBINIOrganização: PRODESPDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência | Transistores | Eletrônica Analógica
O IGBT é um
Ano: 2011Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: STMDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
O dispositivo MOSFET possui um canal que pode ser de material semicondutor do tipo P ou N, e a profundidade desse canal pode ser modulada eletricamente por uma tensão de controle.
Ano: 2014Banca: BIO-RIOOrganização: NUCLEPDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência | Transistores | Eletrônica Analógica
Sobre os transistores, analise as seguintes afirmativas:
1. BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.
2. JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.
3. MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.
4. FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.
Estão corretas:
Ano: 2011Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: STMDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Eletrônica Analógica | Transistores | Transistores de Potência
A energia elétrica pode ser condicionada e transferida como
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
corrente contínua (CC) ou alternada (CA). A conversão de uma
forma em outra é feita por meio de equipamentos conversores que
utilizam dispositivos semicondutores de chaveamento. Acerca desse
tema, julgue os itens subsequentes.
Um regulador de Buck é um regulador chaveado utilizado em conversores CC-CC com tensão média de saída menor que a tensão de entrada.
Ano: 2010Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: MSDisciplina: Engenharia Eletrônica e Sistemas DigitaisTemas: Eletrônica de Potência | Transistores de Potência | Diodo de Potência | Dispositivos Tiristores
O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.
A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.
em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando.
A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos
semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos
dispositivos semicondutores de potência, associados a outros
circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos
de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência
dos dispositivos envolvidos são preponderantes.
A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.
SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.