Início/Questões/Engenharia Eletrônica/Questão 457941204615567Julgue os próximos itens, acerca de diodos.As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicon...1457941204615567Ano: 2013Banca: CESPE / CEBRASPEOrganização: INPIDisciplina: Engenharia EletrônicaTemas: DiodosJulgue os próximos itens, acerca de diodos.As regiões P e N de um diodo são regiões vizinhas de um mesmo cristal semicondutor, criadas com dopagens diferentes.ACertoBErradoResponderQuestões relacionadas para praticarQuestão 457941204472101Engenharia EletrônicaConsidere um sistema de comunicação que transmite informação por meio da modulação analógica em frequência (FM), com razão de desvio α , via canal de ...Questão 457941204482166Engenharia EletrônicaSistemas digitais manipulam sinais que assumem valores discretos, geralmente representados por bits (0s e 1s), sendo fundamentais em computação, proce...Questão 457941204485451Engenharia EletrônicaA técnica stitch bonding é utilizada em componentes de interconexão em que uma esfera de ouro é comprimida por capilaridade no receptáculo para estabe...Questão 457941204541971Engenharia EletrônicaOs resistores de peso binário são utilizados na construção de conversores A/D com baixa dependência à temperatura e com alta resolução.Questão 457941204563929Engenharia EletrônicaUm circuito eletrônico de condicionamento do tipo conversor tensão-corrente deve possuir baixa impedância de entrada e baixa impedância de saída.Questão 457941204577456Engenharia EletrônicaCom relação a um sistema de comunicações que deverá utilizar um sinal com largura de banda de 4 kHz e às tecnologias pertinentes a esse sistema, julgu...Questão 457941204582573Engenharia EletrônicaOs CLPs utilizam transistores ou tiristores como elementos ativos de saídas digitais, contudo, as características construtivas atuais não permitem saí...Questão 457941204615960Engenharia EletrônicaO germânio e o silício são semicondutores e exemplos de elementos tetravalentes.Questão 457941204626114Engenharia EletrônicaEm um transistor bipolar do tipo NPN, a base é composta, geralmente, por material do tipo P. A concentração de lacunas na base é muito maior que a con...Questão 457941204671290Engenharia EletrônicaA transformada Z da função impulso unitário discreta é igual a 1.